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金属学及金属工艺论文_单晶硅衬底对Si-Al合金

来源:冶金与材料 【在线投稿】 栏目:期刊导读 时间:2021-11-17
作者:网站采编
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摘要:文章摘要:硅与合金熔体的分离及合金元素的回收再利用一直是限制Si-Al合金凝固精炼工艺进一步应用的关键问题。本文采用温度梯度区域熔炼方法在Si-Al合金中生长块体硅。通过在合金

文章摘要:硅与合金熔体的分离及合金元素的回收再利用一直是限制Si-Al合金凝固精炼工艺进一步应用的关键问题。本文采用温度梯度区域熔炼方法在Si-Al合金中生长块体硅。通过在合金熔体的底部引入单晶硅衬底,研究单晶衬底对于块体硅生长的形貌及杂质分布的影响。结果表明,单晶硅衬底的添加降低了合金熔体的温度梯度,块体硅以平直界面向上生长,生长速率明显变慢。在温度梯度2.4 K/mm和生长时间240 min时,块体硅的生长速率由石墨坩埚上的0.108μm/s下降至Si(100)衬底上的0.075μm/s。在相同的温度梯度和生长时间内,块体硅在Si(100)衬底上的生长速率明显快于Si(111)衬底。单晶硅衬底在块体硅生长过程中起到籽晶的作用。

文章关键词:

论文DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814.20200665

论文分类号:TG132

文章来源:《冶金与材料》 网址: http://www.yjyclzz.cn/qikandaodu/2021/1117/1072.html



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